全面腐蝕

鈦試樣或工件表面發生均勻的腐蝕，形成一層厚度均勻的腐蝕產物，緊緊地依附于鈦表面，一般不會隨著時間的延長而向內擴展，但也有例外的情況。在許多腐蝕介質中，鈦的腐蝕性能與帶有保護層的其他金屬（比如鋁）的一樣好或更好。鈦的腐蝕通常是電解性質，所以腐蝕與電極電位及電動電流之間有一定的關系。陽極與陰極極化作用也對腐蝕機理及速度有強烈的影響。鈦的電位在很大程度上取決于氧化膜的絕緣性能。因此，鈦表面氧化膜的特性對其抗蝕性起著決定性作用。凡是能改善氧化膜致密性、增加氧化膜厚度、提高氧化膜絕緣性能的因素，都有助于抗蝕性的提高。反之，凡是降低氧化膜有效保護能力的任何因素，不管是機械的，還是化學的，都會使鈦的抗蝕性急劇下降。

局部腐蝕

鈦在大多數條件下的腐蝕都是局部性質的，且某一點的腐蝕程度與另一點的有較大差別。縫隙腐蝕、孔穴腐蝕、應力腐蝕開裂等都是局部腐蝕。縫隙腐蝕多發生于突緣或折邊處以及堆積物附近縫隙間，縫隙過小或過大都不會發生。孔穴腐蝕是在開孔中發生的一種腐蝕，在有CI—、Br—、I—等離子存在時易發生這類腐蝕。應力腐蝕開裂是工件或試樣在有拉伸應力和腐蝕環境的共同作用下發生的一種腐蝕。

磨蝕

試樣或工件在腐蝕性流動介質中發生的腐蝕形態，因受流體的機械作用，腐蝕加快，因流體能帶走一部分或全部腐蝕產物，暴露新的表面，加快腐蝕。

異種金屬接觸腐蝕

異種金屬接觸腐蝕又稱電偶腐蝕，在腐蝕環境中，放置2種不同電位的金屬或結構件，在電短路的情況下，電位低的金屬就會產生腐蝕。

吸H2或H2脆

在通常條件下，鈦及鈦合金中總含有H2，若從材料中提取H2，當提取量超過固溶極限時，將形成脆的氫化物，產生氫脆。

在大多數條件下，鈦及鈦合金的腐蝕是局部性質的，同時，某一點的腐蝕程度與另一點的腐蝕程度有很大差異。因此，對腐蝕的定量評價只能根據大量的統計材料，而不能憑幾個試樣的結果。評價腐蝕的另一個嚴重問題是以什么作為標準，很少采用質量損失，大都根據強度損失、表面外觀變化或穿孔來判斷腐蝕程度。一般來說，鈦及鈦合金的腐蝕進程緩慢。除非對所處條件完全不適應。為了正確地評價鈦的使用性能，通常要進行幾十天甚至數年的試驗。鈦及鈦合金在許多場合中，一開始腐蝕較快，然后慢下來，最后往往只發生微弱的腐蝕。可是在一些場合下，鈦合金在經過一段時間后會發生轉變，組織與性能會發生急劇變化。因此，短時間的使用試驗是不完全可靠的。快速使用試驗方法很多，但一般來說，試驗速度越快，結果的可靠性也越低。

鈦屬于熱力學極不穩定的金屬之一，其標準電極電位為-1.63V，表面上總覆蓋著一層薄而致密的TiO2膜，因而鈦及鈦合金的穩定電位編向正值，例如，鈦在25℃海水中的穩定電位約為0.09V。電極電位大都是從熱力學數據計算的，而且由于數據來源不同，可能會出現不同的數據，這是正常的。

鈦及鈦合金的表面總有一層薄薄的在空氣中自然生成的氧化膜，其優異的抗蝕性就源于其表面總存在一層穩定的、附著性強的、保護性好的氧化膜。這層保護膜的抗蝕性可用P/B比值表示。P/B值大于1的才有保護性，否則，抗蝕性低，但也不可大于2.5，如大于此值，則氧化膜內的壓應力增大，容易引起氧化膜破裂，抗蝕性下降，最佳值為1~2.5。

鈦在大氣或水溶液中會立即形成氧化膜，在室溫大氣中形成的膜厚為 1.2nm~1.6nm，并隨時間延長而增長，70天后增大到5nm，545天可增厚到 8nm～9nm。人為強化氧化條件，例如加熱，加氧化劑或陽極氧化等，可以加速氧化，增加膜厚，提高抗蝕性。

鈦及鈦合金表面上的氧化膜一般不是一種單一結構，其成分與結構與生成條件相關。通常，在氧化膜與環境的界面上大都為TiO2，而在氧化膜與金屬界面上可能以TiO2為主，而中間為不同價態的過渡層，甚或是非化學當量的氧化物，這表示鈦及鈦合金的表面氧化膜為復雜的多層結構。至于它們的形成過程，也不能簡單地理解為Ti與O2的直接反應而成。一些研究學者提出過種種形成機理，俄羅斯學者認為首先生成氫化物，然后于氫化物上形成純的氧化膜。